Apple-ийн эрлийз хадгалах системийн шинэ патент ил боллоо!

digitalimes нь Tom's Hardware компанийн тайланг иш татан DRAM-ийн тасралтгүй хөгжлийг дагаад DRAM дизайн нь хэрэглээний өөр өөр зорилгоос шалтгаалан улам бүр төвөгтэй болж байгааг онцлов. Хадгалалтын нягтрал / багтаамжийг сайжруулахад чиглэсэн дизайнууд нь зурвасын өргөнийг багасгах (эсвэл дор хаяж нэмэгдүүлэхгүй) хандлагатай байдаг бол зурвасын өргөнийг нэмэгдүүлэх нь хүчин чадал, эрчим хүчний үр ашгийг бууруулах (эсвэл дор хаяж нэмэгдүүлэхгүй) хандлагатай байдаг. SoC дизайнеруудын хувьд чипний хэрэглээний шаардлагад нийцүүлэн хадгалах зурвасын өргөн, багтаамж, эрчим хүчний хэрэглээ ба өртгийн хоорондох хамгийн сайн тэнцвэрийг хэрхэн яаж олж авах вэ гэдэг нь томоохон бэрхшээл болж байна.

Apple-ийн шинэ патентлагдсан технологид суурилсан эрлийз хадгалах систем нь дор хаяж хоёр өөр төрлийн DRAM агуулахыг багтааж болно (жишээлбэл, нэг нь өндөр нягтралтай DRAM, нөгөө нь бага нягтралтай, эсвэл бага хоцрогдолтой, өндөр зурвасын өргөнтэй DRAM). Энэ нь эрчим хүчний хэмнэлттэй ажиллагааг хангаж, цахилгаан зарцуулалт, үр ашиг-цахилгаан харьцааг гол гэж үздэг хөдөлгөөнт төхөөрөмжүүд болон бусад төхөөрөмжүүдийн хадгалах багтаамжийг нэмэгдүүлэхэд тусалдаг.

Патент нь өндөр хурдны кэш DRAM болон үндсэн DRAM-ийг хослуулсан хэд хэдэн эрлийз хадгалах системийг хэрэгжүүлэхэд дамжин цахиур дамжин дамжин (TSV) гэх мэт харилцан холболтын олон технологийг ашиглах талаар тайлбарласан байдаг. Нэмж дурдахад патентын өргөдөлд компьютерийн процессор биш харин SoC хамаардаг.

Apple нь дээр дурдсан патентын өргөдлийг Европын патентын газар (EPO) болон АНУ, Хятад, Япон дахь патентын зохицуулах агентлагуудад гаргасан.